隨著時(shí)代的進(jìn)步，科技的發(fā)展，以高頻感應(yīng)加熱電源為首的感應(yīng)加熱電源一直以迅猛的速度在發(fā)展，今天我們就來(lái)看一下未來(lái)在熱處理行業(yè)，高頻感應(yīng)退火電源的發(fā)展趨勢(shì)如何。

1)主電路功率開(kāi)關(guān)器件的自開(kāi)關(guān)斷化、模塊化、集成化、智能化；開(kāi)關(guān)頻率不斷提高，開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)一步降低。

2)對(duì)低壓小容量的裝置常采用6脈波整流器；而對(duì)中壓大容量的裝置采用12脈波、24脈波整流器，降低對(duì)電源系統(tǒng)的諧波干擾，以及對(duì)周?chē)娮釉O(shè)備的電磁輻射干擾。

3)微處理器的進(jìn)步使數(shù)字控制成為現(xiàn)代控制器的發(fā)展方向。近幾年來(lái)，我國(guó)及國(guó)外各大公司紛紛推出以DSP為基礎(chǔ)的內(nèi)核，配以所需的外圍功能電路，集成在單一芯片內(nèi)的稱(chēng)為DSP單片控制器，價(jià)格較大降低，體積縮小，結(jié)構(gòu)緊湊，使用便捷，可靠性提高。DSP和普通的單片機(jī)相比，處理數(shù)字運(yùn)算能力增強(qiáng)10~15倍，可確保系統(tǒng)有更優(yōu)越的控制性能。數(shù)字控制使硬件簡(jiǎn)化，各種智能控制算法將會(huì)使控制性能得到很大的提高，可實(shí)現(xiàn)復(fù)雜控制規(guī)律，使現(xiàn)代控制理論在控制系統(tǒng)中應(yīng)用成為現(xiàn)實(shí)，易于與上層系統(tǒng)連接進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，便于故障診斷、加強(qiáng)保護(hù)和監(jiān)視功能，從而提高系統(tǒng)的智能化水平。

4)高頻感應(yīng)退火電源的大容量化技術(shù)，從電路的角度來(lái)考慮可以分為兩大類(lèi)：一類(lèi)是器件的串、并聯(lián)，另一類(lèi)是多臺(tái)電源的并聯(lián)。在器件的串、并聯(lián)方式中，必須認(rèn)真處理串聯(lián)器件的均壓?jiǎn)栴}和并聯(lián)器件的均流問(wèn)題。由于器件制造工藝和參數(shù)的離散性，限制了器件的串、并聯(lián)數(shù)目，且串、并聯(lián)數(shù)越多，裝置的可靠性越差。由于MOSFET是多載流子器件，不存在存儲(chǔ)時(shí)間，因此它的開(kāi)關(guān)時(shí)間遠(yuǎn)小于IGBT。另外，MOSFET不存在二次擊穿問(wèn)題，具有矩形安全區(qū)，驅(qū)動(dòng)功率小，易并聯(lián)等優(yōu)點(diǎn)，因此常適合于高頻大功率的高頻感應(yīng)退火電源。采用MOSFET可能引起的問(wèn)題是，由于它是高速開(kāi)關(guān)，則對(duì)布線要求苛刻，而高壓MOSFET的通態(tài)損耗較大，在相同頻率下盡量選用IGBT。通過(guò)改變電路的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)電源的大容量化：